盛夏已過，初秋開場

二月的耐高溫猶在很久不散日子也免滿足被復雜的事情咒印

各類高壓大公率(6500V/3000A)IGBT測試方法難？伴由于好項目消費需求急、作業重、規范高工程建設師們壓力值山大...

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1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

這樣SiC與Si的特點的有所差異，SiC MOSFET的域值工作交流電壓值擁有忽上忽下定量分析，在元器件測量過程中 中域值工作交流電壓值會比較嚴重漂移，造成 其電效果測量同時高熱柵偏做實驗的時候后的電測量結杲比較嚴重依賴感于測量標準。這樣域值工作交流電壓值的確切測量，當前信得過性測量策略有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通內阻 RDSon為印象電子器件工做時導通消耗的資金的一極為重要特性規格，其指數值會隨 VGS 及T的影響而影響。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流養護會將相電壓也可以電壓電流限制在SOA區域劃分，規避器材已損壞或炸管。

測評因素：800V 恒壓 10μA 限流

測量前提條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）交流電查重電線將提供導通電阻測試精確；? SOCKET與PIN了解電容、檢查引線導通電容。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，電壓電流波形參數自由振蕩；? 新線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 通常同軸電攬的等效電解電容與DUT串并聯，SMU測試軟件時飆升以其不穩定性精力長；? 三同軸低壓電纜等效電阻近乎為0。

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